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NTBL060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 70 mohm, H-PSOF
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,720 $ |
| 10+ | 10,070 $ |
| 25+ | 9,640 $ |
| 50+ | 9,190 $ |
| 100+ | 8,760 $ |
| 250+ | 8,410 $ |
| 500+ | 8,050 $ |
| 1000+ | 7,500 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
12,72 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBL060N065SC1
Code Commande08AM4233
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
70mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits