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NTHD3100CT1G
MOSFET, N AND P CH, -20V, -3.9A, CHIPFET
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,752 $ |
| 6000+ | 0,687 $ |
| 12000+ | 0,623 $ |
| 18000+ | 0,601 $ |
| 30000+ | 0,589 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 256,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHD3100CT1G
Code Commande86AK5823
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits