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NVB190N65S3F
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 3,900 $ |
| 1600+ | 3,870 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
3 120,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVB190N65S3F
Code Commande86AK5870
Gamme de produitSUPERFET III Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation162W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III Series
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
162W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NVB190N65S3F
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits