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NVH4L095N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 650 V, 0.105 ohm, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,410 $ |
| 10+ | 15,350 $ |
| 25+ | 15,240 $ |
| 50+ | 15,130 $ |
| 100+ | 15,020 $ |
| 250+ | 14,900 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L095N065SC1
Code Commande85AK4675
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.105ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation129W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.105ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
129W
Product Range
EliteSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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