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NXH007F120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
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| 5+ | 207,020 $ |
| 10+ | 200,140 $ |
| 25+ | 193,270 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH007F120M3F2PTHG
Code Commande08AM4243
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation353W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
149A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
353W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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