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TP65H030G4PWS
650V, 30MOHM GAN FET IN TO247-3L ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
960 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,740 $ |
| 10+ | 20,410 $ |
| 25+ | 19,850 $ |
| 50+ | 18,020 $ |
| 100+ | 17,030 $ |
| 480+ | 15,100 $ |
| 720+ | 14,640 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
21,74 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H030G4PWS
Code Commande26AM1876
Gamme de produitSuperGaN Series
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id55.7A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge24.5nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
55.7A
Typical Gate Charge
24.5nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits