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TP65H100G4PS
GAN TRANSISTOR, 650V, 18.9A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
937 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,840 $ |
| 10+ | 6,770 $ |
| 25+ | 6,340 $ |
| 50+ | 5,910 $ |
| 100+ | 5,480 $ |
| 250+ | 5,170 $ |
| 500+ | 4,870 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,84 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H100G4PS
Code Commande26AM1881
Gamme de produitSuperGaN Series
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits