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BM3G115MUV-LBE2
GAN HEMT POWER STAGE IC, VQFN046V8080 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
200 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,900 $ |
| 10+ | 12,470 $ |
| 25+ | 11,830 $ |
| 50+ | 10,640 $ |
| 100+ | 9,750 $ |
| 250+ | 8,730 $ |
| 500+ | 8,290 $ |
| 1000+ | 7,790 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,90 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBM3G115MUV-LBE2
Code Commande42AM5203
IC FunctionGaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Min6.83V
Supply Voltage Max30V
IC Package TypeVQFN046V8080
No. of Pins46Pins
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
IC Function
GaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Max
30V
No. of Pins
46Pins
Operating Temperature Max
105°C
Automotive Qualification Standard
-
Supply Voltage Min
6.83V
IC Package Type
VQFN046V8080
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits