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SCT3160KWATL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm, TO-263
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,870 $ |
| 10+ | 9,230 $ |
| 25+ | 8,720 $ |
| 50+ | 8,210 $ |
| 100+ | 7,690 $ |
| 250+ | 7,380 $ |
| 500+ | 7,070 $ |
| 1000+ | 5,990 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
10,87 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3160KWATL
Code Commande02AM9709
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.208ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.208ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits