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GD75HFU120C1SD
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Module
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 77,590 $ |
| 5+ | 74,670 $ |
| 10+ | 71,710 $ |
| 48+ | 68,700 $ |
| 72+ | 65,460 $ |
| 120+ | 64,500 $ |
| 264+ | 63,070 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
77,59 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD75HFU120C1SD
Code Commande86AK3001
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2.8V
Power Dissipation484W
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
484W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit