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ADP480120W3-L
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 46 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2 962,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2 962,23 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantADP480120W3-L
Code Commande16AM5006
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id488A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleACEPACK DRIVE
No. of Pins30Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation869W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
488A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
No. of Pins
30Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
ACEPACK DRIVE
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
869W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits