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SCT027H65G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, H2PAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT027H65G3AG
Code Commande
Bobine complète14AM7983
Mise en bobine14AM7982
Bandes découpées14AM7982
Votre numéro de pièce
1 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 23,220 $ | 23,22 $ |
| Total Prix | 23,22 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,220 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 17,450 $ |
| 2000+ | 17,090 $ |
| 4000+ | 16,730 $ |
| 6000+ | 16,200 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT027H65G3AG
Code Commande
Bobine complète14AM7983
Mise en bobine14AM7982
Bandes découpées14AM7982
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SCT027H65G3AG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits