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SCT040H120G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, H2PAK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
40 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 28,430 $ |
| 10+ | 24,580 $ |
| 25+ | 23,690 $ |
| 50+ | 22,800 $ |
| 100+ | 21,910 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
28,43 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040H120G3AG
Code Commande04AM0272
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits