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SCT040W120G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.054 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,490 $ |
| 10+ | 20,350 $ |
| 25+ | 19,590 $ |
| 50+ | 18,810 $ |
| 100+ | 18,050 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040W120G3AG
Code Commande04AM0273
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.054ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation312W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
312W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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