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SCT055W65G3-4AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.072 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,300 $ |
| 10+ | 20,280 $ |
| 25+ | 19,630 $ |
| 60+ | 18,960 $ |
| 120+ | 18,310 $ |
| 270+ | 17,920 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT055W65G3-4AG
Code Commande12AM9885
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation210W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
210W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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