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STR2P3LLH6
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTR2P3LLH6
Code Commande
Mise en bobine45AC7738
Bandes découpées45AC7738
Gamme de produitSTripFET H6
Votre numéro de pièce
Fiche technique
665 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,080 $ |
| 10+ | 0,691 $ |
| 25+ | 0,618 $ |
| 50+ | 0,544 $ |
| 100+ | 0,470 $ |
| 250+ | 0,427 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTR2P3LLH6
Code Commande
Mise en bobine45AC7738
Bandes découpées45AC7738
Gamme de produitSTripFET H6
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd350mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET H6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET H6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
350mW
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour STR2P3LLH6
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits