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SSM3J356R,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J356R,LF(T
Code Commande
Mise en bobine09AK7965
Bandes découpées09AK7965
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,572 $ |
| 10+ | 0,440 $ |
| 25+ | 0,301 $ |
| 50+ | 0,248 $ |
| 100+ | 0,208 $ |
| 250+ | 0,167 $ |
| 500+ | 0,139 $ |
| 1000+ | 0,116 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J356R,LF(T
Code Commande
Mise en bobine09AK7965
Bandes découpées09AK7965
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SSM3J356R,LF(T
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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