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TRS10V65H,LQ(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 349 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,060 $ |
| 10+ | 5,480 $ |
| 25+ | 5,120 $ |
| 50+ | 4,730 $ |
| 100+ | 4,260 $ |
| 250+ | 3,600 $ |
| 500+ | 3,480 $ |
| 1000+ | 3,340 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,06 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTRS10V65H,LQ(S
Code Commande79AK2895
Product Range-
Diode ConfigurationSingle Dual Anode
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current26A
Total Capacitive Charge27nC
Diode Case StyleDFN
No. of Pins5 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
27nC
No. of Pins
5 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single Dual Anode
Average Forward Current
26A
Diode Case Style
DFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits