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TRS12E65H,S1Q(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 33 A, 33 nC, TO-220
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10 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,910 $ |
| 10+ | 5,290 $ |
| 25+ | 4,790 $ |
| 50+ | 4,560 $ |
| 100+ | 4,120 $ |
| 250+ | 3,660 $ |
| 500+ | 3,590 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,91 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTRS12E65H,S1Q(S
Code Commande79AK2896
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current33A
Total Capacitive Charge33nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
33nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
33A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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