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TRS30H120H,S1Q(S
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 83 A, 162 nC, TO-247
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30 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 25,460 $ |
| 10+ | 24,030 $ |
| 25+ | 23,430 $ |
| 60+ | 21,480 $ |
| 120+ | 20,420 $ |
| 270+ | 18,360 $ |
| 510+ | 17,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
25,46 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTRS30H120H,S1Q(S
Code Commande19AM7234
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current83A
Total Capacitive Charge162nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
162nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
83A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits