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TW083U65C,RQ(S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 28A, TOLL
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,660 $ |
| 10+ | 22,180 $ |
| 25+ | 20,900 $ |
| 50+ | 19,650 $ |
| 100+ | 18,410 $ |
| 250+ | 17,530 $ |
| 500+ | 16,790 $ |
| 1000+ | 16,220 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
23,66 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW083U65C,RQ(S
Code Commande49AM3032
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.124ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation111W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.124ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
111W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits