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TW092V65C,LQ(S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 27A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 500 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,270 $ |
| 10+ | 20,910 $ |
| 25+ | 19,710 $ |
| 50+ | 18,550 $ |
| 100+ | 17,390 $ |
| 250+ | 16,570 $ |
| 500+ | 15,910 $ |
| 1000+ | 15,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
22,27 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW092V65C,LQ(S
Code Commande27AM4912
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.136ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation111W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
27A
Drain Source On State Resistance
0.136ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
111W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits