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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPW6R30ANB,L1XHQ(O
Code Commande83AK8366
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
4 979 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 3,550 $ |
10+ | 3,150 $ |
25+ | 2,850 $ |
50+ | 2,570 $ |
100+ | 2,260 $ |
250+ | 1,950 $ |
500+ | 1,790 $ |
1000+ | 1,710 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,55 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPW6R30ANB,L1XHQ(O
Code Commande83AK8366
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0063ohm
Transistor Case StyleDSOP Advance M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
DSOP Advance M
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
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