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SI2307BDS-T1-E3
MOSFET, P-CH, -30V, -2.5A, SOT-23-3
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Options de conditionnement
2 578 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,310 $ |
| 10+ | 0,865 $ |
| 25+ | 0,773 $ |
| 50+ | 0,682 $ |
| 100+ | 0,590 $ |
| 250+ | 0,526 $ |
| 500+ | 0,462 $ |
| 1000+ | 0,430 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,31 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2307BDS-T1-E3
Code Commande54AH6883
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)0.063ohm
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd750mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.063ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
750mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits