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SI3552DV-T1-E3
MOSFET, N & P-CH, 30V, 2.5A, TSOP
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 864 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,520 $ |
| 10+ | 1,190 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 0,980 $ |
| 100+ | 0,879 $ |
| 250+ | 0,822 $ |
| 500+ | 0,764 $ |
| 1000+ | 0,688 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
7,60 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3552DV-T1-E3
Code Commande01AC4990
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id2.5A
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.15W
Power Dissipation P Channel1.15W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.15W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.15W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits