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SI4101DY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 25.7 A, 0.006 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4101DY-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0436
Bandes découpées57AJ0436
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
3 185 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,980 $ |
| 10+ | 1,320 $ |
| 25+ | 1,190 $ |
| 50+ | 1,070 $ |
| 100+ | 0,936 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4101DY-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0436
Bandes découpées57AJ0436
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id25.7A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd6W
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
25.7A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour SI4101DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits