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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,190 $ |
| 10+ | 9,650 $ |
| 25+ | 9,160 $ |
| 50+ | 8,530 $ |
| 100+ | 7,860 $ |
| 250+ | 7,030 $ |
| 500+ | 5,890 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHH080N60E-T1-GE3
Code Commande31AJ7239
Gamme de produitE
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd184W
Power Dissipation184W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
184W
No. of Pins
4Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SIHH080N60E-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits