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SIR5812DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 45.3A, POWERPAK SO-8 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 43 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,090 $ |
| 10+ | 1,380 $ |
| 25+ | 1,240 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 0,969 $ |
| 250+ | 0,886 $ |
| 500+ | 0,801 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,09 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR5812DP-T1-RE3
Code Commande88AK0137
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id45.3A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45.3A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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