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SIR582DP-T1-BE3
MOSFET, N-CH, 80V, 116A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR582DP-T1-BE3
Code Commande
Mise en bobine97AK4716
Bandes découpées97AK4716
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
50 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,280 $ |
| 10+ | 2,890 $ |
| 25+ | 2,640 $ |
| 50+ | 2,380 $ |
| 100+ | 2,120 $ |
| 250+ | 1,980 $ |
| 500+ | 1,840 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR582DP-T1-BE3
Code Commande
Mise en bobine97AK4716
Bandes découpées97AK4716
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation92.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
92.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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