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SIS990DN-T1-GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 100V, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS990DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0416
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
7 420 En Stock
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS990DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0416
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id12.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel12.1A
Continuous Drain Current Id P Channel12.1A
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel25W
Power Dissipation P Channel25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
12.1A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
12.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
12.1A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SIS990DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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