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SISS05DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 108A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS05DN-T1-GE3
Code Commande86AK6251
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 51 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,020 $ |
| 12000+ | 0,979 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 6000
Multiple: 6000
6 120,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS05DN-T1-GE3
Code Commande86AK6251
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id108A
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
108A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Produits de remplacement pour SISS05DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits