Imprimer la page

SIZF906DDT-T1-GE3

Name: MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 257A, POWERPAIRF ROHS COMPLIANT: YES
Brand: VISHAY
SKU: 08AM4444
Availability: InStock

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 257A, POWERPAIRF ROHS COMPLIANT: YES

Date/Lot Code

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSIZF906DDT-T1-GE3

Code Commande08AM4444

Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series

4 000 En Stock

Quantité	Prix
1+	2,980 $
10+	2,850 $
25+	2,640 $
50+	2,380 $
100+	2,150 $
250+	1,880 $
500+	1,580 $

Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)

Minimum: 5

Multiple: 5

14,90 $

Ajouter Référence Interne / Note à la ligne

Note

Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.

Votre référence produit

Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.

Informations produit

FabricantVISHAY

Réf. FabricantSIZF906DDT-T1-GE3

Code Commande08AM4444

Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series

Channel TypeDual N Channel

Drain Source Voltage Vds N Channel30V

Drain Source Voltage Vds P Channel-

Continuous Drain Current Id N Channel257A

Continuous Drain Current Id P Channel-

Drain Source On State Resistance N Channel900µohm

Drain Source On State Resistance P Channel-

Transistor Case StylePowerPAIR F

No. of Pins8Pins

Power Dissipation N Channel83W

Power Dissipation P Channel-

Operating Temperature Max150°C

Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series

Qualification-

SVHCLead (07-Nov-2024)

Spécifications techniques

Channel Type

Dual N Channel

Drain Source Voltage Vds P Channel

Continuous Drain Current Id P Channel

Drain Source On State Resistance P Channel

No. of Pins

8Pins

Power Dissipation P Channel

Product Range

TrenchFET Gen IV SkyFET Series

SVHC

Lead (07-Nov-2024)

Drain Source Voltage Vds N Channel

30V

Continuous Drain Current Id N Channel

257A

Drain Source On State Resistance N Channel

900µohm

Transistor Case Style

PowerPAIR F

Power Dissipation N Channel

83W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

Produits de remplacement pour SIZF906DDT-T1-GE3

1 produit trouvé

Législation et Questions environnementales

US ECCN:Unknown

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Y-Ex

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :Lead (07-Nov-2024)

Télécharger le certificat de conformité du produit

Certificat de conformité du produit

Traçabilité des produits