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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 51 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
3000+ | 0,440 $ |
6000+ | 0,431 $ |
12000+ | 0,410 $ |
18000+ | 0,408 $ |
30000+ | 0,405 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 320,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2309ES-T1_GE3
Code Commande86AK6389
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.335ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.335ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits