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SQJ120EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 202A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ120EP-T1_GE3
Code Commande20AM8160
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 2,120 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,770 $ |
| 100+ | 1,630 $ |
| 250+ | 1,410 $ |
| 500+ | 1,240 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,21 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ120EP-T1_GE3
Code Commande20AM8160
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id202A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation130W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
202A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits