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SUM80090E-GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 128A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 2,100 $ |
| 1600+ | 2,030 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
1 680,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUM80090E-GE3
Code Commande86AK6530
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id128A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
128A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits