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BSDH08G65E2
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 8 A, 12 nC, TO-220
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FabricantBOURNS
Réf. FabricantBSDH08G65E2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande83AK2233
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,420 $ |
| 10+ | 3,960 $ |
| 100+ | 3,420 $ |
| 500+ | 3,150 $ |
| 1000+ | 2,970 $ |
| 2500+ | 2,830 $ |
| 5000+ | 2,710 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,42 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantBOURNS
Réf. FabricantBSDH08G65E2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande83AK2233
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge12nC
Diode Case StyleTO-220
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
12nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit