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GA20SICP12-263
JFET Transistor, 1.2 kV, 20 A, TO-263, 3 Pin, 175 °C
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantGA20SICP12-263
Code Commande08X5874
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max1.2kV
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Zero Gate Voltage Drain Current Max20A
Gate Source Cutoff Voltage Max-
Continuous Drain Current Id20A
Power Dissipation157W
Power Dissipation Pd157W
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins3 Pin
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Operating Temperature Max175°C
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
1.2kV
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20A
Continuous Drain Current Id
20A
Power Dissipation Pd
157W
No. of Pins
3 Pin
Operating Frequency Max
-
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Gate Source Cutoff Voltage Max
-
Power Dissipation
157W
Transistor Case Style
TO-263
Operating Frequency Min
-
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit