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                      IXFN110N60P3

                      Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 90 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V

                      Date/Lot Code

                      LITTELFUSE IXFN110N60P3
                      L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
                      FabricantLITTELFUSE
                      Réf. FabricantIXFN110N60P3
                      Code Commande03AH0712
                      Gamme de produitPolar3/ HiPerFET Series
                      Fiche technique

                      Data Sheet

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                      Informations produit

                      FabricantLITTELFUSE
                      Réf. FabricantIXFN110N60P3
                      Code Commande03AH0712
                      Gamme de produitPolar3/ HiPerFET Series
                      Fiche technique

                      Data Sheet

                      Transistor PolarityN Channel
                      Channel TypeN Channel
                      Continuous Drain Current Id90A
                      Drain Source Voltage Vds600V
                      On Resistance Rds(on)0.056ohm
                      Drain Source On State Resistance0.056ohm
                      Rds(on) Test Voltage10V
                      Gate Source Threshold Voltage Max5V
                      Power Dissipation Pd1.5kW
                      Power Dissipation1.5kW
                      Operating Temperature Max150°C
                      Product RangePolar3/ HiPerFET Series
                      SVHCTo Be Advised

                      Aperçu du produit

                      N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.

                      • miniBLOC with aluminium nitride isolation
                      • Low package inductance
                      • Low RDS(on) and QG
                      • Easy to mount
                      • Space savings

                      Spécifications techniques

                      Transistor Polarity

                      N Channel

                      Continuous Drain Current Id

                      90A

                      On Resistance Rds(on)

                      0.056ohm

                      Rds(on) Test Voltage

                      10V

                      Power Dissipation Pd

                      1.5kW

                      Operating Temperature Max

                      150°C

                      SVHC

                      To Be Advised

                      Channel Type

                      N Channel

                      Drain Source Voltage Vds

                      600V

                      Drain Source On State Resistance

                      0.056ohm

                      Gate Source Threshold Voltage Max

                      5V

                      Power Dissipation

                      1.5kW

                      Product Range

                      Polar3/ HiPerFET Series

                      Documents techniques (2)

                      Technical Data Sheet EN

                      Product Change Notice EN

                      Législation et Questions environnementales

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme RoHS :Oui

                      RoHS

                      Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

                      RoHS

                      SVHC :To Be Advised
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                      Certificat de conformité du produit

                      Traçabilité des produits

                      Date/Lot Code

                      Service client
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                      Ventes 1 800 463 9275
                      Service Technique 1 877 736 4835
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