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IXFN230N20T
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | LITTELFUSE |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IXFN230N20TCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
| Code Commande | 03AH0733 |
| Gamme de produit | GigaMOS Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 300+ | 39,660 $ |
| 600+ | 38,860 $ |
| 900+ | 38,070 $ |
| 1500+ | 37,280 $ |
| 3000+ | 36,490 $ |
| 7500+ | 35,970 $ |
| 15000+ | 35,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 300
11 898,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | LITTELFUSE |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IXFN230N20TCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
| Code Commande | 03AH0733 |
| Gamme de produit | GigaMOS Series |
| Fiche technique | |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 220A |
| Drain Source Voltage Vds | 200V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0075ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.0075ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Power Dissipation Pd | 1.09kW |
| Power Dissipation | 1.09kW |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | GigaMOS Series |
| SVHC | To Be Advised |
Aperçu du produit
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spécifications techniques
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 220A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0075ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 1.09kW |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | To Be Advised |
| Transistor Polarity | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 200V |
| On Resistance Rds(on) | 0.0075ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Power Dissipation | 1.09kW |
| Product Range | GigaMOS Series |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IXFN230N20T
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | To Be Advised |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |