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IXFN360N10T
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 360 A, 100 V, 2600 µohm, 100 V, 4.5 V
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FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N10TCopie
Code Commande03AH0750
Gamme de produitTrench HiperFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 36 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 30,630 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 10
9 189,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantLITTELFUSE
Réf. FabricantIXFN360N10TCopie
Code Commande03AH0750
Gamme de produitTrench HiperFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2600µohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Product Range
Trench HiperFET Series
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit