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MRF1K50NR5

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

Fabricant	NXP
Réf. Fabricant	MRF1K50NR5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Mise en bobine61AC0763RL Bandes découpées61AC0763
Gamme de produit	MRF1K50N
Votre numéro de pièce
Fiche technique	Data Sheet Découvrez tous les documents techniques

38 En Stock

Options de conditionnement

Mise en bobine

(Min : 10 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	536,900 $	536,90 $
Total Prix			536,90 $

Bandes découpées & Mise en bobine

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Fabricant	NXP
Réf. Fabricant	MRF1K50NR5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Mise en bobine61AC0763RL Bandes découpées61AC0763
Gamme de produit	MRF1K50N
Fiche technique	Data Sheet
Drain Source Voltage Vds	133V
Continuous Drain Current Id	-
Power Dissipation	2.941kW
Power Dissipation Pd	2.941kW
Operating Frequency Min	1.8MHz
Operating Frequency Max	500MHz
Transistor Case Style	OM-1230
No. of Pins	4Pins
RF Transistor Case	OM-1230
Operating Temperature Max	150°C
Channel Type	N Channel
Transistor Mounting	Flange
Product Range	MRF1K50N
MSL	MSL 3 - 168 hours
SVHC	No SVHC (27-Jun-2024)

MRF1K50NR5 Data Sheet

Product Change Notice EN

US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	Unknown
Conforme RoHS :	Oui RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:	Oui RoHS
SVHC :	No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit	Certificat de conformité du produit