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IMBG120R116M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R116M2HXTMA1
Code Commande97AK2411
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,860 $ |
| 10+ | 4,880 $ |
| 25+ | 4,440 $ |
| 50+ | 4,010 $ |
| 100+ | 3,560 $ |
| 250+ | 3,450 $ |
| 500+ | 3,330 $ |
| 1000+ | 3,210 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,86 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R116M2HXTMA1
Code Commande97AK2411
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21.2A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1157ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation123W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
21.2A
Drain Source On State Resistance
0.1157ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
123W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit