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NVH4L030N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.0285 ohm, TO-247
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 24,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 450
Multiple: 450
10 975,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L030N120M3S
Code Commande57AK6425
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.13V
Power Dissipation308W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.13V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
308W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVH4L030N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit