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G3F18MT12J-TR
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 122 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 34,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 800
Multiple: 800
27 512,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F18MT12J-TR
Code Commande16AM7736
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id122A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation526W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
122A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
526W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit