Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules:

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MOSFET Module Configuration
Channel Type
Continuous Drain Current Id
Drain Source Voltage Vds
Drain Source On State Resistance
Transistor Case Style
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Gate Source Threshold Voltage Max
Power Dissipation
Operating Temperature Max
Emballage
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22AM0333

RoHS

Date/Lot Code

Each (Supplied on Cut Tape)
Bandes découpées
1+
34,950 $
10+
25,930 $
Min : 1 / Mult : 1
Single
N Channel
110A
750V
0.015ohm
HU3PAK
7Pins
18V
4.2V
652W
175°C
22AM0334

RoHS

Date/Lot Code

Each (Supplied on Cut Tape)
Bandes découpées
1+
36,370 $
10+
32,720 $
25+
32,690 $
50+
31,660 $
100+
30,610 $
Plus de tarifs
Min : 1 / Mult : 1
Single
N Channel
112A
1.2kV
0.022ohm
H2PAK
7Pins
18V
4.2V
652W
175°C
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sur 1 page(s)

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