Imprimer la page
NVBLS1D2N08XTXG
MOSFET, N-CH, 80V, 299A, H-PSOF ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS1D2N08XTXG
Code Commande
Mise en bobine51AM2188
Bandes découpées51AM2188
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,990 $ |
| 10+ | 8,090 $ |
| 25+ | 7,620 $ |
| 50+ | 7,350 $ |
| 100+ | 7,090 $ |
| 250+ | 6,840 $ |
| 500+ | 6,690 $ |
| 1000+ | 6,560 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBLS1D2N08XTXG
Code Commande
Mise en bobine51AM2188
Bandes découpées51AM2188
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id299A
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleH-PSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation197W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
299A
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
197W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits