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SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 36.8A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ494DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0386
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
14 383 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,310 $ |
| 25+ | 2,900 $ |
| 100+ | 2,330 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1000+ | 1,570 $ |
| 2500+ | 1,510 $ |
| 5000+ | 1,450 $ |
| 10000+ | 1,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,31 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJ494DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0386
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id36.8A
On Resistance Rds(on)0.0193ohm
Drain Source On State Resistance0.0232ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation69.4W
Power Dissipation Pd69.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0193ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36.8A
Drain Source On State Resistance
0.0232ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIJ494DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits