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SIR122DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 59.6A, 80V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR122DP-T1-RE3
Code Commande99AC9571
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
39 365 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,250 $ |
| 10+ | 1,150 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,957 $ |
| 1000+ | 0,922 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,25 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR122DP-T1-RE3
Code Commande99AC9571
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59.6A
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Drain Source On State Resistance7400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max50°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59.6A
Drain Source On State Resistance
7400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
50°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits