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SEMIX904GB126HDS
IGBT Module, Half Bridge, 821 A, 1.7 V, 125 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 621,130 $ |
| 5+ | 612,440 $ |
| 10+ | 603,760 $ |
| 25+ | 569,000 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 4
Multiple: 4
2 484,52 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX904GB126HDS
Code Commande40M7842
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current821A
Continuous Collector Current821A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
821A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
821A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit