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WG30N65HAW1Q
IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
202 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,950 $ |
| 10+ | 3,470 $ |
| 100+ | 2,910 $ |
| 720+ | 2,730 $ |
| 1200+ | 2,520 $ |
| 2640+ | 2,170 $ |
| 5040+ | 2,120 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,95 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWG30N65HAW1Q
Code Commande27AM4923
Fiche technique
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation312W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
312W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit